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경쟁 심화, 수요부진으로 디바이스경험(DX), 디스플레이(SDC) 부문의 부진이 예상되나, 3분기 일회성 비용으로 부진했던 반도체(DS)부문이 이를 상쇄할 것으로 전망했다. 4분기 비트 그로스(Bit Growth)의 경우, 낸드(NAND)는 고용량, 디램(DRAM)은 수익성 위주의 출하를 기반으로 DRAM과 NAND 각각 -5%, +10% 기대된다고 류 연구원은 설명했다.
류 연구원은 “단기적으로는 PC와 스마트폰 수요 약세와 중국 업체 공급 증가에 따른 영향을 피할 수 없을 것으로 판단한다”며 “긍정적인 부분은 메모리 3사 모두 고대역폭메모리(HBM)·선단 공정 전환의 속도를 올리고 있으며, 실질적인 공급 증가에 대해 보수적인 입장이라는 점”이라고 강조했다.
그러면서 “기다렸던 고객사 인증도 유의미한 성과를 달성하며, 늦었지만 시장의 우려를 일부 해소했다”며 “동사는 3분기에 10% 수준이었던 HBM3E 비중이 4분기 50%까지 확대될 것으로 기대했다”고 덧붙였다.
삼성전자는 아직 레거시 비중이 상대적으로 높은 상황이기 때문에 비수기에 접어드는 현재 전방 수요에 민감한 모습이지만, 수익성 위주의 전략과 선단 공정 전환에 집중하는 만큼 레거시 영향도 점진적으로 감소할 것으로 예상된다는 분석이다.
류 연구원은 “현재 주가는 역사적 주가순자산비율(PBR) 하단에서 거래 중”이라며 “기술 경쟁력 회복이라는 숙제는 남아 있으나 현재 부정적인 시선들은 상당 부분 주가에 반영되었다고 판단한다”고 강조했다.
