[이데일리 류의성 기자] 삼성전자(005930)가 5년만에 처음으로 반도체 신규라인에 건설하는 등 반도체 투자 확대에 나선다.
삼성전자(005930)가 올해 메모리반도체 투자에 기존 5조5000억원에서 9조원으로 투자 규모를 확대한다고 17일 밝혔다.
삼성전자는 차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규라인(16라인) 건설과 30나노 D램 양산을 위한 15라인 캐퍼 증설에 나선다.
16라인은 총 48만평 규모의 화성캠퍼스 가운데 현재 가동 중인 31만평을 제외한 17만평 부지에 들어선다.
내년부터 본격 가동한다. 생산규모는 12인치 웨이퍼로 월 20만매 이상을 생산하게 된다. 삼성전자의 반도체 신규라인 건설은 2005년 15라인 이후 5년 만이다.
삼성전자는 16라인에 완공까지 단계적으로 총 12조원 규모를 투자할 계획이다.
이를 통해 메모리분야에서 선도적 리더십을 더욱 확고히 하게 될 것이라는 것이 회사 측 설명이다.
또 15라인의 CAPA 증설을 통해 올해 말까지 30나노급 D램 생산비중을 10% 이상으로 확대할 방침이다. 이를 통해 저전력·고성능 D램 공급 확대 요구에 적극적으로 대응해 나갈 계획이다.
한편 시스템LSI도 45나노 이하 공정을 적용하는 모바일, 디지털TV 등 SOC 사업과 파운드리 사업 강화를 위해 2조원대 투자를 추진한다.
이로써 삼성전자는 올해 메모리 9조원과 시스템 LSI 2조원 등 반도체 분야에만 11조원을 투자한다.
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