삼성전자(005930)가 올해 메모리반도체 투자에 기존 5조5000억원에서 9조원으로 투자 규모를 확대한다고 17일 밝혔다.
삼성전자는 차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규라인(16라인) 건설과 30나노 D램 양산을 위한 15라인 캐퍼 증설에 나선다.
16라인은 총 48만평 규모의 화성캠퍼스 가운데 현재 가동 중인 31만평을 제외한 17만평 부지에 들어선다.
내년부터 본격 가동한다. 생산규모는 12인치 웨이퍼로 월 20만매 이상을 생산하게 된다. 삼성전자의 반도체 신규라인 건설은 2005년 15라인 이후 5년 만이다.
삼성전자는 16라인에 완공까지 단계적으로 총 12조원 규모를 투자할 계획이다.
이를 통해 메모리분야에서 선도적 리더십을 더욱 확고히 하게 될 것이라는 것이 회사 측 설명이다.
또 15라인의 CAPA 증설을 통해 올해 말까지 30나노급 D램 생산비중을 10% 이상으로 확대할 방침이다. 이를 통해 저전력·고성능 D램 공급 확대 요구에 적극적으로 대응해 나갈 계획이다.
이로써 삼성전자는 올해 메모리 9조원과 시스템 LSI 2조원 등 반도체 분야에만 11조원을 투자한다.
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