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시지트로닉스는 그동안 M-FAB 기반의 정전기방호소자(ESD)와 센서 사업을 중심으로 성장해 왔으며, 이번 GaN RF 전력반도체 사업 진출을 계기로 고출력 RF 분야까지 포트폴리오를 확대하며 국산화 생태계 구축과 공급망 안정화에 기여할 전망이다.
이번에 상용화된 S밴드 RF 전력반도체 라인업은 △10W △30W △50W △150W급으로 구성돼 있으며, △군용 S밴드 레이더 △전자전 △재밍 시스템 △항공·지상 통신 장비 △시험 장비 등 다양한 고출력 RF 시스템에 적용할 수 있다.
특히 시지트로닉스는 150W급 출력 트랜지스터와 이를 안정적으로 구동하기 위한 10~50W급 드라이버 제품군을 동시에 공급해 프론트엔드 전체를 동일한 설계 철학으로 구현할 수 있는 완성형 전력반도체 솔루션을 확보함으로써, 국내 기술력으로 글로벌 RF 파워 시장 진입이 가능함을 입증한 상징적 성과로 평가된다.
이 제품군은 광대역, 고출력, 고선형성 등 고출력 RF 시스템이 요구하는 핵심 성능을 충족하며, 글로벌 시장에서도 공급이 부족한 10~50W급 드라이버 제품 수요를 충족할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다.
이를 기반으로 시지트로닉스는 국내뿐 아니라 해외 방산·항공·통신 시장에서도 수요 확대가 기대되는 GaN 기반 전력반도체 공급자로서 입지를 강화할 전망이다.
시장조사기관 포춘 비즈니스 인사이트(Fortune Business Insights)에 따르면 RF GaN 시장은 2024년 17억 달러에서 2032년 73억 8000만달러 규모로 성장할 것으로 예상되며, 연평균 성장률(CAGR)은 20% 이상을 기록할 것으로 전망됐다.
이에 GaN 기술이 실리콘 기반 소자를 빠르게 대체하며 △차세대 레이더 △5G·6G 통신 인프라 △항공전자 △위성통신 등 고사양 산업에서 핵심 기술로 자리잡을 것으로 기대되며, 이러한 산업 구조 변화속에서 시지트로닉스의 전 공정 내재화 기반 GaN 전력반도체 라인업 확보는 국내 기술 경쟁력 제고와 글로벌 공급망 안정화 측면에서 중요한 의미가 있다는 평가다.
시지트로닉스는 X밴드 및 C밴드 전력소자 개발, 글로벌 방산·통신 장비 제조사 대상 샘플 인증 확대, 패키징 및 측정 공정의 내재화를 통한 원가·품질 경쟁력 강화, 국내 중소 협력사들과의 공동개발 확대 등 중장기 전략을 추진할 계획이다. 이를 통해 회사는 국내 화합물반도체 산업의 중심 기업이자 글로벌 경쟁력을 갖춘 차세대 반도체 솔루션 기업으로 도약하겠다는 전략이다.
시지트로닉스 관계자는 “그동안 축적된 M-FAB 운영 경험과 소자 기술력을 기반으로 GaAs IRED 사업과 연계한 GaN RF 전력반도체 사업을 통해 화합물반도체 국산화의 대표 성공 모델을 만들겠다”며 “기술 내재화를 통한 글로벌 경쟁력 확보와 함께 한국 화합물반도체 산업 생태계의 핵심 기업으로 성장하겠다”고 말했다.
