방문규 산업장관, 美상무부에 ‘韓반도체 中유출건’ 원만 해결 당부

[이데일리 김형욱 기자] 방문규 산업통상자원부 장관이 취임 사흘째인 22일 방한 중인 미국 상무부 부장관과 만나 우리 반도체 칩을 통한 미국 원천기술의 중국 유출 건에 대한 원만한 해결을 당부했다.

방문규 산업통상자원부 장관(오른쪽)과 돈 그레이브스 미국 상무부 부장관이 22일 정부서울청사에서 접견에 앞서 악수하고 있다. (사진=산업부)

방 장관은 이날 오전 정부서울청사에서 돈 그레이브스(Don Graves) 미 상무부 부장관을 접견해 이야기를 나눴다. 그레이브스 부장관은 20~23일의 일정으로 처음 한국을 찾았다.

미국 행정부는 중국에 최신 반도체 기술이 흘러가지 않도록 하고자 지난해 첨단기술에 대한 수출 통제 제도를 강화했다. 그러나 지난달 중국 기업인 화웨이가 7나노미터(㎚)급 최신 반도체를 탑재한 신형 스마트폰을 공개했고 이게 SK하이닉스의 칩이란 게 밝혀지면서 미 상무부가 유출 경위 조사에 나선 상황이다. 미국은 자국 원천기술에 대한 대중(對中) 수출통제를 통해 사실상 한국 첨단 반도체 기술이 중국으로 가는 걸 막고 있는데, 결과적으로 이 같은 통제에 ‘구멍’이 발생한 셈이다.

방 장관은 이 자리에서 한·미 양국이 첨단 산업·기술 협력을 동맹을 강화하고 있다는 점을 강조하며 이 일이 원만히 해결되도록 협조해달라고 그레이브스 부장관에게 당부했다. 그가 첫 대외 공식 행보로 미 상무부를 만난 건 이 사안의 중요성을 고려한 것으로 풀이된다. 그는 20일 취임해 첫날은 원전·수출 현장을 찾고, 다음 날 국회 일정을 소화했고 오늘로 사흘 째다.

한편 방 장관에 이어 안덕근 산업부 통상교섭본부장도 그레이브스 부장관과 별도 면담을 하고 인플레이션 감축법(IRA)과 인도·태평양 경제 프레임워크(IPEF), 철강 수입규제 등 다른 통상 현안을 논의하고 협력기로 했다.