삼성전자 비D램 대대적 증산..연말까지 50%이상

[edaily 김수헌기자] 일본 반도체업체들의 D램부문 통합과 인텔의 지분참여로 삼성전자 "견제설"이 제기된 가운데 삼성전자(05930)가 연말까지 고부가의 비D램과 시장선점품목인 256메가 DDR D램의 대대적 증산계획을 세우고 시장지배력 강화에 나섰다.

1일 삼성전자에 따르면 이 회사는 메모리반도체중 가격안정적이고 부가가치가 높은 플래시메모리(NAND형)와 S램을 연말까지 2분기 생산량 대비 50~60% 증산키로 했다.

또 DDR D램은 256메가 제품의 생산량을 연말까지 90%이상 늘린다는 반도체 생산계획을 세웠다.

삼성전자 메모리사업부 황창규 사장은 이날 메모리비전 선포식을 갖고 "D램 위주의 사업운영에서 탈피하겠다"면서 "플래시 등 메모리 전부문에서 세계 최강을 고수, "마켓 크리에이터(시장 창조자)" 역할을 할 것"이라고 강조했다.

삼성전자는 우선 휴대폰, PDA 등 모바일 휴대제품에 주로 쓰이는 S램을 2분기 7000만개(4메가 환산기준)에서 4분기에는 57% 늘어난 1억 1000만개 수준까지 늘려 시장지배력을 한층 높인다.

이 경우 S램 분기 매출은 2억달러 정도에서 2억 5000만달러 수준으로 뛸 것으로 삼성전자는 내다보고 있다.

제품용도가 모바일 기기, A/V제품, 게임기 등으로 다양화되면서 수요가 늘고 있는 플래시메모리는 2분기 5800만개에서 4분기 55% 증가한 9000만개까지 증산할 방침이다. 매출은 2억 5000만달러에서 3억 8000만달러로 크게 올라간다.

삼성전자는 전체 메모리 중 플래시 생산비중을 현재 15%에서 2005년까지 30%로, 2배 증가시킬 계획이다.

PC시장의 주력 메모리로 자리를 굳힌 DDR D램의 경우 256메가 제품을 2분기 5900만개에서 4분기에 배 가까이 늘어난 1억 1500만개 수준까지 끌어올려 시장수요에 능동적으로 대처해나갈 계획이다.

반면 시황에 민감한 범용 SD램의 경우 256메가 제품을 2분기 8800만개에서 4분기 8500만개 수준으로 소폭 낮춘다.

삼성전자의 이같은 반도체 생산계획은 D램, 플래시, S램 등 메모리 전분야는 물론 로직(Logic)분야까지 아우르는 "퓨전 메모리"시대를 주도하기위한 기반구축하기 위한 것으로 풀이된다.

삼성전자의 대대적인 증산작업은 이와함께 4분기와 향후 공급부족에 대비하겠다는 의도도 담고 있다.

삼성전자 관계자는 "3분기에는 D램이 1.8% 공급과잉이었으나 4분기에는 수요증가로 0.4% 정도 공급부족이 예상된다"고 말했다. 그는 "높은 집적도와 빠른 스피드를 가진 DDR D램의 수요도 앞으로 여전히 강세를 유지할 것"이라고 분석했다.

지난 8월 기준 삼성전자가 생산한 고집적 256메가 D램 중 DDR 제품이 차지한 비중은 48%였다.

삼성전자는 현재 DDR266 제품이 널리 사용되고 있지만 고속메모리 선호에 따라 내년 중 DDR333과 DDR400 이 주력으로 떠오를 것으로 보고, 이들 제품의 시장을 창출하기 위한 전략을 수립중이다.

삼성전자 집계에 따르면 세계 반도체 톱8업체들의 연간 투자는 지난 99년 56억달러에서 2000년 92억달러로 전년대비 66% 늘었다가 2001년에는 73억달러로 20% 감소세로 돌아섰다. 올해 역시 71억 달러로 다시 소폭 감소함으로써 공급능력저하에 따른 향후 공급부족을 예상하고 있다.

한편, 삼성전자는 미세회로 공정 개선을 통한 원가경쟁력과 생산성 극대화에도 주력할 방침이다.

0.13㎛(마이크론) 이하 미세공정을 적용한 웨이퍼의 비율을 2분기 40%에서 연말 75%로 끌어올릴 계획이다.

삼성전자는 0.13이하 공정 비율이 지난 1월 6%에서 8월 39%로 급속히 개선시켰으며, 연말에는 75%수준을 유지할 방침이다.

이에비해 0.15공정은 8월 54%에서 연말 24%로 절반 이상 떨어뜨린다. 0.17이상은 연말 2%까지 축소돼 사실상 "퇴출"운명을 맞을 것으로 보인다.