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SK하이닉스 측은 “2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업”이라며 “높아지는 인공지능(AI) 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 강조했다.
회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다.
우선 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LLM)인 ‘라마 3 70B’를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.
또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다.
여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스는 자사 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였고 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다.
김주선 SK하이닉스 AI인프라담당 사장은 “다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 AI 메모리 리더로서 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 제품을 준비해 글로벌 1위 AI 메모리 공급업체로서 위상을 이어가겠다”고 말했다.
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