D램·플래시 넘어 이제 스토리지클래스메모리 시대 온다

서울 강남구 삼성동 코엑스에서 열린 ‘2018 국제인공지능 대전’을 찾은 관람객들이 Twim부스에서 인공지능 산업용 로봇이 반도체 칩 자동선별검사 하는것을 살펴보고 있다. 사진=이데일리DB

[대전=이데일리 박진환 기자] 최근 D램(DRAM)과 플래시 메모리의 장점만을 가진 스토리지 클래스 메모리와 관련된 기술 개발이 활발히 이뤄지고 있는 것으로 나타났다.

스토리지 클래스 메모리(Storage Class Memory)는 플래시 메모리처럼 비휘발성 속성을 제공하면서 동시에 D램처럼 바이트 단위로 랜덤 접근을 지원하는 메모리를 말한다.

스토리지 클래스 메모리는 데이터 처리 속도가 D램과 비슷하면서도 전원 공급이 중단돼도 데이터가 사라지지 않는 우수한 특성이 있어 시스템 속도를 10배 이상 빠르게 개선할 수 있다.

이 메모리를 활용해 인공지능과 빅데이터, 사물인터넷 등의 상용화와 함께 점점 폭증하는 데이터트래픽을 더욱 빠르고 효율적으로 처리가 가능하다.

기존 D램은 데이터 처리 속도는 빠르지만 전원공급이 중단될 때 데이터가 사라진다는 단점이 있는 반면 플래시 메모리는 D램과 반대의 특성을 가지고 있다.

특허청에 따르면 2014년부터 2018년까지 스토리지 클래스 메모리 관련 출원은 연평균 46건으로 그 이전 5년간(2009~2013년) 연평균 출원건수인 11건에 비해 4배 이상 급증했다.

세부 기술별 특허출원 동향을 살펴보면 스토리지 클래스 메모리를 주기억장치로 사용하는 기술이 58%로 주를 이뤘다.

이어 스토리지 클래스 메모리를 보조기억장치로 사용하는 기술(19%), 주기억장치와 보조기억장치의 처리 속도 차이에 따른 병목 현상을 개선하기 위해 스토리지 클래스 메모리를 캐시 메모리로 사용하는 기술(17%) 등의 순으로 조사됐다.

2009년부터 2018년까지 최근 10년간 출원인별 특허출원 동향을 살펴보면 메모리 반도체 기술 특성상 기업 및 대학·연구소가 99%를 차지했다.

주요 출원인으로는 삼성전자(29%), SK하이닉스(19%), 인텔(16%), 마이크론(10%) 등의 순으로 집계됐다.

삼성전자와 SK하이닉스는 기존 D램 분야에서 축적한 기술적 우위를 바탕으로 스토리지 클래스 메모리를 주기억장치로 활용하는 방안에 관심을 보이고 있다.

반면 미국의 인텔은 마이크론과 공동 개발한 비휘발성 메모리 기술인 3DXpoint를 활용해 주기억장치와 보조기억장치의 데이터 처리 속도 차이에 따른 병목 현상을 개선하는 연구에 중점을 두고 있다.

이동영 특허청 전자부품심사과장은, “D램 및 플래시 메모리 시장 점유율 세계 1위인 우리나라에게는 스토리지 클래스 메모리 등장이 위기일 수 있다”면서 “이러한 위기를 기회로 바꾸기 위해서는 스토리지 클래스 메모리에 대한 관련 기술 동향 분석 및 연구개발을 지속할 필요가 있다”고 조언했다.