삼성, 세계 최초 40나노 DDR3 양산 돌입

[이데일리 류의성기자] 삼성전자(005930)가 세계 최초로 40나노급 공정기술을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 양산에 돌입한다.

삼성전자는 이달 말부터 40나노급 2Gb DDR3 D램 제품(사진) 양산을 양산한다고 21일 밝혔다. 1나노는 10억분의 1미터를 뜻한다.

삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발했었다. 이후 양산 준비에 박차를 가해 7월 말부터 양산에 들어가게 됐다.

40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 기존 제품보다 생산공정을 더욱 단순화하고, 생산기간을 단축시켜 원가 경쟁력을 높인 것이 특징이다.

이 제품은 작년 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품보다 생산성이 약 60% 향상됐다.

데이터 처리 속도는 더 빨라지고 소비전력도 줄었다. 2기가비트 DDR3 D램 주력 공급 제품은 동작전압이 1.35V다. 기존 1.5V 제품보다 데이터 처리속도는 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps다.

삼성전자는 40나노급 D램을 조기 양산해 제품 차별화를 강화하고, 2010년 이후 대용량 D램 시장 확대에 대비한다는 전략이다.

회사 측은 이를 위해 ▲ 서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM) ▲ 워크스테이션, 데스크 탑 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM) ▲ 노트북 PC용 4기가 바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.

삼성전자 관계자는 "앞으로 차별화된 차세대 고용량 및 고성능 D램 제품을 선행 개발하여 업계 최고의 경쟁력 우위를 유지해 나갈 것"이라고 말했다.

한편, 반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 것으로 예상된다.

2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망된다.


 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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