SK실트론, 영국 IQE 손잡고 GaN 웨이퍼 시장 본격 진출

[이데일리 이다원 기자] SK실트론이 무선통신·전력 반도체 소재로 각광받고 있는 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 시장에 진출한다고 11일 밝혔다.

SK실트론은 지난 6일 구미 본사에서 글로벌 에피택셜(Epitaxial) 웨이퍼 제조사인 영국 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)을 체결했다고 11일 밝혔다. 장용호 SK실트론 대표이사 사장(오른쪽)과 아메리코 레모스 IQE CEO가 전략적 협력 협약(SCA)을 체결하고 기념 촬영을 하고 있다. (사진=SK실트론)

SK실트론은 지난 6일 구미 본사에서 글로벌 웨이퍼 제조사인 영국 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)을 체결했다.

이를 바탕으로 양사는 맞춤형 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 아시아 시장 마케팅을 통한 시장 확대를 위해 협력할 방침이다.

영국 IQE는 첨단 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션을 개발하고 있다. 기술 진입장벽이 높은 화합물 에피택셜(Epitaxial) 웨이퍼 시장 1위 기업이다.

GaN 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 실리콘 카바이드 웨이퍼 위에 질화갈륨 박막을 증착해 만든다. 기존 웨이퍼와 비교해 고전압 환경에서도 전력 변환 효율이 높아, 급속 충전 등 고출력과 내열성을 요하는 전기차와 스마트기기, 5G 기반의 고속 네트워크 장비 등 다양한 분야에서 활용하고 있다.

SK실트론은 글로벌 3위인 실리콘 웨이퍼 사업을 비롯해 제조·기술·품질 경쟁력을 기반으로 삼고, 첨단 반도체 소재로 사업을 확장해 미래 성장 동력을 강화할 방침이다.

장용호 SK실트론 사장은 “첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다”며 “IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 더 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다”고 말했다.