"삼성·SK HBM, 선단 공정 웨이퍼 투입량의 35% 차지"

[이데일리 최영지 기자] 삼성전자와 SK하이닉스 등 글로벌 3대 메모리반도체 기업이 올해 선단 공정에 투입하는 웨이퍼의 35% 상당을 고대역폭메모리(HBM) 생산에 쓸 것이란 전망이 나왔다. 올해 하반기를 시작으로 본격 설비투자를 늘릴 것으로도 기대된다.

SK하이닉스 HBM3E (사진=SK하이닉스)

20일 대만 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 3대 D램 공급사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 선단 공정용 웨이퍼 투입을 늘리고 있다고 분석했다. 메모리 중에서도 수익성과 수요 증가를 이유로 HBM 생산을 우선시한다고도 봤다.

이에 따라 4세대 HBM인 HBM3E 생산이 급증하는 가운데 각사 실리콘관통전극(TSV) 용량을 기준으로 연말까지 HBM은 선단 공정 웨이퍼 투입량의 35%에 이를 전망이다.

HBM의 경우 수율이 50~60%인데다 일반 D램 대비 필요로 하는 웨이퍼 면적이 60% 넓다 보니 메모리 업계의 웨이퍼 투입량이 늘어날 수밖에 없다는 게 트렌드포스 설명이다.

D램 제조사들은 하반기 캐파(CAPA·생산능력) 확대를 위해 설비투자를 늘리고 있는 것으로 보인다. 다만 HBM 등 메모리 실적 개선에도 불구 지난해 반도체 불황 여파로 대규모 손실이 발생하면서 증설에 신중한 태도를 보이고 있는 상황이다.

트렌드포스는 “올해 안에 HBM3E가 HBM 시장의 주류로 자리 잡으면서 하반기에 출하량이 집중될 것”이라며 “메모리 성수기와 맞물려 하반기에 DDR5, LPDDR5(X) 등에 대한 시장 수요도 증가할 것”이라고 예상했다.