삼성전자는 30나노급 4Gb(기가비트) DDR3 D램 기반의 32GB(기가바이트) 서버용 모듈을 양산해 공급하기 시작했다고 31일 밝혔다.
30나노급 32GB DDR3 서버용 모듈은 데이터처리 속도가 1866Mbps(Mega-bit per Second)에 달한다. 이는 기존 40나노급 32GB DDR3 모듈에 비해 40% 정도 빠른 속도다.
또 기존 제품에 비해 소비전력을 18% 정도 절감할 수 있다고 삼성전자는 설명했다.
아울러 노트PC용 8GB DDR3 모듈 양산도 개시했다고 밝혔다. 이를 통해 DDR3 제품 라인업을 갖추게 됐다는 설명이다.
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삼성전자는 앞으로 30나노급 4Gb 이상 대용량 제품의 비중을 본격적으로 늘려, 오는 2012년에는 전체 D램에서 판매 비중을 10% 이상 확대한다는 방침이다.
홍완훈 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 "하반기에는 소비전력을 더욱 낮춘 20나노급 4Gb D램을 선보일 예정"이라며 "앞으로도 최고 성능의 메모리 반도체를 지속적으로 선보일 것"이라고 말했다.
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