삼성전자등 반도체업계, 美와 공동 기술개발

[이데일리 이정훈기자] 한-미 자유무역협정(FTA) 체결로 양국간 협력 분위기가 고조되고 있는 가운데 우리 반도체업계와 미국 대학 연구기관들이 공동 기술 개발에 나섰다.

특히 양국이 5년간 218억원을 투입해 우리 반도체산업의 취약분야로 꼽히는 설계와 신공정, 장비·재료 등에서 함께 기술 개발에 나설 예정이어서 엄청난 시너지 효과가 기대된다.

산업자원부는 한국과 미국 양국이 우리 반도체산업의 3대 취약분야인 설계, 신공정, 장비·재료 분야에서 공동 기술 개발사업을 추진한다고 19일 밝혔다.

양국은 한국의 메모리와 미국의 비메모리, 장비·재료 등 상호 보완적 산업구조로 인해 차세대 반도체시장을 주도할 메모리, 비메모리 융합기술 개발 등에 있어 최적의 파트너라는 공감대 아래 이같은 사업을 추진키로 한 것.

우리측에서는 산자부가 주관하는 시스템IC(System IC) 2010 사업단이 참여하는데, 삼성전자(005930) 하이닉스(000660) 코아로직(048870) 케이씨텍(029460) 동부전자 엠텍비전 등 기업과 대학, 연구소 등이 참여할 것으로 예상하고 있다.

미국에서는 스탠포드대학과 버클리대학, 달라스의 텍사스대학이 지난해 5월 이후 시작된 양국간 공동기술개발 등의 협력사업에 대한 논의를 마무리하고 지난 17일 본격적인 사업 추진에 최종 합의, 공동 연구에 뛰어들기로 했다.

양측은 공동 R&D 프로그램 추진, 소요재원 분담, 인력파견 등을 통해 공동 기술 개발에 나서기로 했다.

산자부는 "미국이 우리 취약분야인 설계, 공정, 장비·재료 분야 선도기술을 보유하고 있어 양국간 공동 R&D는 국내 기업의 원천기술 확보 및 미국시장 진출확대 면에서 큰 효과가 있을 것"으로 기대했다.

이번에 체결한 MOU에 따라 양국은 올해부터 2011년까지 5년간 총 218억원을 투입해 미국의 3개 대학에서 11개 세부사업을 추진한다. 우리 정부가 100억원을 대고 텍사스주정부가 54억원, 민간기업들이 64억원을 각각 분담하기로 했다.

스탠포드대에서는 차세대 메모리 및 배선기술 개발을 위한 2개 과제, 버클리대에서는 비메모리분야 기술인력 양성을 위한 3개 과제, 텍사스대에서는 차세대 장비 소재 개발을 위한 4개 과제와 SEMATECH과 2개의 성능 평가 등이 각각 진행된다.

산자부는 오는 2009년까지 1단계로 반도체 중심지인 서부 실리콘밸리, 남부 텍사스에 소재한 대학 연구소 관련기업과의 공동 R&D를 통한 원천기술 확보에 주력하고 2011년까지 2단계에서는 양국 업계간 전략적 파트너쉽을 위한 성능평가 사업으로 확대한다는 방침이다.

한편 이번 사업은 오는 27일까지 주관기관 및 참여기관을 모집한 후 5~6월 중 사업 선정 및 협약을 거쳐 7월부터 본격적으로 개시할 예정이다.

자세한 내용은 산업자원부 홈페이지 (www.mocie.go.kr) 및 반도체산업협회 홈페이지(www.ksia.or.kr)에서 확인할 수 있다.