삼성 "HBM 9년 누적매출 14兆…종합반도체 역량 총집결"

[이데일리 김정남 기자] “올해까지 (총 9년간) 예상되는 고대역폭메모리(HBM) 매출은 100억달러(약 13조8000억원)가 넘을 것으로 전망된다.”

김경륜 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 상무는 2일 자사 뉴스룸 인터뷰를 통해 “삼성전자는 지난 2016년 업계 최초로 고성능컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하면서 AI용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다”며 이렇게 말했다.

김경륜 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 상무. (사진=삼성전자 제공)

김 상무는 “올해 하반기는 HBM 공급 개선으로 인공지능(AI) 서버 확산이 가속화할 뿐만 아니라 일반(Conventional) 서버와 스토리지 수요까지 증가하는 선순환이 뚜렷하게 나타날 것”이라며 “삼성전자는 성장하는 생성형 AI용 수요 대응을 위해 HBM 생산능력(캐파) 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 것”이라고 했다.

김 상무는 “최근 HBM에는 맞춤형(Custom) HBM이라는 표현이 붙기 시작했다”며 “이는 AI 반도체 시장에서 메모리 반도체가 더이상 범용 제품이 아니라는 것을 의미한다”고 했다.

그는 그러면서 “HBM 제품은 D램 셀을 사용해 만든 코어 다이와 시스템온칩(SoC)과의 인터페이스를 위한 버퍼 다이로 구성되는데, 고객들은 버퍼 다이 영역에 대해 맞춤형 IP 설계를 요청할 수 있다”며 “이는 HBM 개발·공급을 위한 비즈니스 계획에서부터 D램 셀 개발, 로직 설계, 패키징·품질 검증에 이르기까지 모든 분야에서 차별화·최적화가 주요 경쟁 요인이 될 것임을 의미한다”고 했다.

김 상무는 삼성전자만의 강점으로 종합 반도체 역량을 꼽았다. 그는 “차세대 HBM 초격차 달성을 위해 메모리뿐만 아니라 파운드리, 시스템LSI, 어드밴스드패키징(AVP)의 차별화한 사업부 역량과 리소스를 총집결해 경계를 뛰어넘는 차세대 혁신을 주도해 나갈 계획”이라고 강조했다.

김 상무는 아울러 “AI 기술 성장에는 메모리 반도체의 발전이 필수적”이라며 “시스템 고성능화를 위한 고대역폭, 저전력 메모리는 물론이고 새로운 인터페이스와 적층 기술도 요구되고 있다”고 말했다.

그는 “삼성전자는 D램 기술 초격차 유지를 위해 10나노미터(nm) 이하 D램에 수직 채널 트랜지스터(VCT·Vertical Channel Transistor)를 활용하는 새로운 구조에 대한 선제적인 연구개발을 진행하고 있다”며 “오는 2030년 3D D램 상용화에 나설 계획”이라고 했다. 3D D램은 데이터 저장 공간인 셀을 지금처럼 수평으로 배치하는 게 아니라 수직으로 쌓아 용량을 키운 제품이다.

김 상무는 이와 함께 “기존 저전력 LPDDR D램 대비 고대역폭을 갖고 있어 기기에서 생성되는 데이터를 실시간으로 처리할 수 있는 LLW(저지연성와이드 I/O·Low Latency Wide I/O) D램을 개발 중에 있다”며 “또 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 메모리 생태계 구축을 위해 제품 개발과 사업 협력을 선도하고 있다”고 했다.