삼성전자, 50나노급 DDR3 최초 양산..`세대교체 돌입`

[이데일리 류의성기자] 삼성전자(005930)가 처리속도와 용량을 대폭 개선시킨 D램을 양산, D램 세대 교체에 나선다.

삼성전자는 29일 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 제품을 개발해 성공했다고 29일 밝혔다. 2Gb DDR3는 오는 10월부터 양산된다.

삼성전자는 작년 9월 60나노급 DDR2 2Gb D램을 최초로 개발해 주목을 받았었다. 1년만에 이 제품보다 처리속도를 1.6배 향상시킨 50나노 2Gb DDR3 D램을 내놓는 셈이다.

50나노 2Gb DDR3는 60나노 2Gb DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps 대비 약 1.6배인 1.333Gbps(1333Mbps)를 구현한다. 50나노 2Gb DDR3 생산 효율은 기존 대비 60% 이상 향상됐다.
 
삼성은 이번에 개발한 2Gb D램 솔루션으로 고용량 DDR3 모듈을 양산할 예정이다.
 
서버용 8GB(기가바이트) RDIMM, 워크스테이션 및 데스크탑 PC용 4GB UDIMM, 노트북용 4GB SODIMM 등을 제작해 메모리 솔루션 용량 확대를 가속화할 예정이다.

기존 2Gb DDR2 D램 단품의 경우 고용량 모듈 제품을 만들기 위해서는 패키지 적층 기술(DDP: Double Die Package)을 적용, 2Gb 칩 2개를 하나로 만들어 탑재해야 했다. 반면 2Gb DDR3는 적층기술없이 고용량 모듈 제작이 가능하다.
 
또 1GB DDR3 D램 단품을 탑재한 현존 최고 용량 서버용 16GB DDR3 모듈의 경우는 1Gb DDR3 단품에 4단 적층(QDP: Quad Die Package) 기술을 적용해 원가 부담이 있었다.

그러나 2기가 DDR3 D램 출시로 2단 패키지 적층 기술(DDP)로 압축해 양산이 가능하다.
 
삼성전자는 2GB DDR3를 활용하면 공정과 원가, 전력 측면에서 획기적인 개선이 가능하다고 설명했다.

8기가바이트 D램 모듈의 경우 기존 1기가비트 DDR3 D램 72개로 구성하던 것을, 이번 제품으로는 2기가비트 36개로 대체할 수 있다. 따라서 40% 이상 전력을 절감할 수 있고, 시스템 작동시 발열량이 크게 줄일 수 있는 효과가 있다.

따라서 이번 제품은 D램의 세대 교체라고 평가받을 만하다는 설명이다. 삼성전자는 2Gb DDR3가 양산되면 DDR2 제품이 주를 이루고 있던 고용량 D램 제품 시장을 빠르게 대체해 나갈 것으로 전망하고 있다.

회사 관계자는 "50나노급 2Gb기가비트 DDR3 D램 출시를 계기로 PC 시장에서 프리미엄 서버 시장에 이르기까지, 향후 수년 이내 D램 시장의 주력 제품이 될 2기가 DDR3 제품군에서 확실한 주도권을 확보하게 됐다"고 의미를 부여했다.

한편, 반도체 시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장은(Bit 기준) 전체 D램 시장에서 2009년 29%에서 2011년 75% 규모로 성장할 것으로 예상된다. DDR3 D램 중 2Gb 비중도 Bit(1Gb) 기준으로 2009년 3%에서 2011년에는 33%으로 증가할 것으로 전망된다.

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