삼성전자, 차세대 메모리 P램기술 개발

[edaily 하정민기자] 삼성전자(05930)는 플래시메모리 등 비휘발성메모리반도체보다 처리속도가 1000배 이상 빠른 차세대 메모리반도체 P램 기술을 개발했다고 7일 밝혔다. 지난달 일본 교토에서 열린 VLSI 심포지엄에서 P램과 관련한 3편의 논문을 발표하며 주목을 받았던 삼성전자는 최근 P램 제품동작 및 신뢰성평가를 완료하고 상용화 준비에 돌입했다. P램은 물질의 상 변화를 이용해 동작하는 메모리반도체로 상이 비정질 상태에서 결정질 상태로 변화할 때 1 비트를 얻는 방식으로 동작한다. 이 제품은 ▲쓰기속도 및 읽기속도가 각각 100ns(10억분의 1초), 50ns에 불과하고 ▲20억회까지 반복사용이 가능하며 ▲70℃ 고온에서도 20년간 데이터를 보존할 수 있다고 삼성전자는 강조했다. 삼성전자는 비휘발성 상 변화 물질인 게르마늄 안티몬 텔룰라이드(Ge₂Sb₂Te5)를 이용해 P램 개발에 성공했다고 설명했다. 특히 대부분의 경쟁사가 BiCMOS(바이 씨모스) 공정을 기반으로 개발중이지만 CMOS(씨모스) 기술을 적용, 공정이 용이하고 상품화 가능성이 높다고 덧붙였다. 삼성전자 관계자는 "P램은 기존 코드저장형(NOR) 플래시메모리의 속도 및 내구성을 크게 향상시켰으므로 상용화가 되면 코드저장형 플래시를 빠르게 대체할 것"이라고 기대했다.