IBM은 최근 글로벌 반도체 장비 기업 도쿄일렉트론(Tokyo Electron·TEL)과 함께 300mm 실리콘 웨이퍼에 3D 적층 기술을 적용할 수 있는 공정을 세계 최초로 개발했다고 1일 밝혔다.
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이는 웨이퍼 분리 과정을 적외선 레이저를 이용할 수 있는 새로운 공정이다. 현재는 실리콘 웨이퍼를 유리로 만들어진 캐리어 웨이퍼에 일시적으로 부착해 생산 공정을 통과할 수 있게 한다. 웨이퍼를 분리하는 과정에서 물리적인 힘이 가해지기 때문에 결함이나 수율 손실이 발생한다.
이처럼 현재는 유리를 사용하고 있으나, 이번 공정에 따라 유리가 필요 없기 때문에 공정이 간소화될 전망이다. 웨이퍼 부착 과정에서 발생할 수 있는 도구의 호환성 문제, 결함도 줄어든다. 얇아진 웨이퍼에 대한 테스트도 가능해진다. 제조 방식도 간소화할 수 있다.
양사는 2018년부터 해당 기술에 대한 연구 개발을 진행해오고 있다. IBM은 이번 성공을 기반으로 3D 칩 적층 방식이 전체 반도체 제조 공정에도 적용될 수 있도록 베타 시스템을 통한 시뮬레이션을 할 예정이다.
그동안 IBM은 반도체 칩 분야에서 혁신 시도를 해왔다. 작년 5월에는 세계 최초로 2 나노미터(nm) 나노시트(nanosheet) 기술로 개발된 칩을 선보였다. 이를 통해 하이브리드 클라우드, 인공지능(AI), 사물인터넷 시대에 칩 성능과 에너지 효율을 높이는데 기여할 것으로 봤다.
앞서 IBM은 지난 18일(현지시간) 2분기 주당순이익(EPS)이 2.31달러로, 월가에서 예상한 2.27달러를 소폭 상회했다고 밝혔다. 또 매출액도 155억4000만달러로, 151억8000만달러였던 시장 전망치를 웃돌았다.
IBM 관계자는 “이번 공정 개발로 세계적으로 지속되고 있는 반도체 칩 공급난을 해소하는 데 도움이 될 수 있을 것으로 기대한다”며 “칩 성능과 에너지 효율 증대에 대한 요구도 해결할 수 있을 것으로 보인다”고 강조했다.
