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파운드리 시장에서 삼성전자의 점유율은 작년 4분기 기준 15.8%로 1위 TSMC(58.5%)와 격차가 크지만, 삼성전자는 앞선 기술력으로 TSMC를 추격하겠다는 계획이다.
삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 차세대 트랜지스터인 GAA(Gate All Around·게이트올어라운드) 구조를 적용한 3나노(nm, 1nm는 10억분의 1m) 양산을 시작했다. 오는 2025년 2나노, 2027년 1.4나노도 계획 중이다. 반면 TSMC는 작년 12월에야 기존 핀펫(FinFET) 트랜지스터 구조의 3나노 양산을 공식화했다. GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높여, 기존 핀펫 기술보다 개선된 차세대 반도체 핵심 기술로 평가된다. 삼성전자는 GAA 기술을 토대로 TSMC를 수년 내에 넘을 것이라고 자신하고 있다.
경계현 삼성전자 DS(반도체)부문 대표이사 사장은 지난 4일 대전 한국과학기술원(KAIST)에서 특별강연을 진행하며 “냉정하게 얘기하면 삼성전자 파운드리 기술력이 TSMC에 1~2년 뒤쳐져 있다”면서도 TSMC가 2나노 공정에 들어오는 시점부터는 삼성전자가 앞설 수 있다”고 언급했다. 그러면서 “5년 안에 TSMC를 앞설 수 있다”고 강조했다.
양산 초기 수율 관리에 어려움을 겪던 4나노도 안정궤도에 올렸다. 삼성전자는 올해 상반기 중에 4나노 2·3세대 공정 양산을 시작한다. 2·3세대는 4나노 초기버전 보다 성능과 소비전력, 면적을 개선한 제품이다.
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고객사 확보에서 성과를 낼 것이란 예상도 나온다. 업계에선 퀄컴의 새로운 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)를 삼성전자 파운드리가 생산할 것으로 보고 있다. 미국 반도체 기업 AMD가 4나노 공정 기반 중앙처리장치(CPU) 신제품 생산을 TSMC가 아닌 삼성전자에 위탁할 것이라는 전망도 제기된다.
한편 삼성전자는 다음달 27일부터 이틀간 미국 캘리포니아주 산호세를 시작으로 한국과 독일 뮌헨, 일본 도쿄, 중국 등에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 열고 파운드리 사업의 로드맵과 신기술을 발표할 예정이다.