삼성전자·하이닉스, 차세대 반도체 개발 공동 추진

[이데일리 김세형기자] 삼성전자(005930)와 하이닉스(000660)가 차세대 반도체 개발을 공동 추진키로 했다. 국내 반도체 산업 발전을 위한 표준화, 국산화 전략도 함께 하기로 했다.

지식경제부는 25일 "삼성전자와 하이닉스가 `신 메모리 공동 R&D` `반도체산업 표준화` `장비·재료 국산화 확대` 등 3대 부문 기술협력을 추진키로 합의했다"고 밝혔다.

이에 따르면 삼성전자와 하이닉스는 오는 9월부터 테라비트급 차세대 반도체 원천기술 개발을 위한 공동 R&D를 본격 시작한다. 이를 통해 샌디스크와 램버스 등 해외 업체로 매년 빠져 나가는 수억달러 상당의 특허료를 줄이고 오히려 특허료를 받을 수 있도록 한다는 계획

두 회사는 오는 2012년 시장이 형성될 것으로 예상되는 `STT-M램`을 중점 개발하게 되며 원천기술 선점시 연간 5억달러 이상의 로열티 효과를 얻는 다는 목표를 갖고 있다. 특히 공동 R&D를 통한 차세대 반도체 지적재산권 선점은 향후 일본과 대만, 중국 등 경쟁국 특허견제와 함께 국제 특허분쟁 공동대응이 가능한 한국형 `IP 컨소시엄`으로 발전시킬 계획이다.

또 2012년경 16인치 웨이퍼로의 규격 전환에 대비, 삼성전자와 하이닉스는 물론 중소 장비·재료업체 모두가 참여하는 표준화 전략이 추진된다. 이를 통해 신규 장비·재료 주도권을 확보한다는 방침.

이와 함께 삼성전자와 하이닉스, 그리고 동부하이텍은 지난해부터 진행한 `장비·재료 성능평가` 지원사업을 확대, 장비·재료 국산화율을 높이고 국내 반도체장비업체가 수출형 중소기업으로 커 갈 수 있도록 지원한다. 삼성전자와 하이닉스는 총 6463억원 상당의 국산 장비와 재료를 추가 구매하게 된다.

한편 전체 반도체시장의 80%를 차지하는 시스템 반도체 산업 발전을 위해 주로 중소기업이 이뤄진 IT-SoC협회가 반도체협회로 통합되고 시스템 반도체 산업 발전 방안도 반도체 업계 공동으로 모색한다.

지경부는 "오는 2015년 시스템반도체 시장점유율 10% 달성을 목표로 핵심 IP 및 플랫폼 개발 등 4대 전략, 13개 추진과제를 업계 공동으로 설정, 연구개발부터 해외 마케팅까지 지원할 계획"이라고 덧붙였다.

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