삼성전자 `낸드 읽기·쓰기 속도` 10배 높였다

[이데일리 조태현 기자] 삼성전자(005930)는 기존 낸드플래시보다 데이터 처리속도가 빠른 차세대 낸드플래시 기술 `Toggle DDR 2.0`을 개발했다고 22일 밝혔다.

이번 기술을 적용한 낸드플래시 제품의 데이터 처리속도는 400Mbps(Megabit per Second)다. 이는 기존 낸드플래시에 비해 10배 정도 빠른 속도다.

이 기술을 SATA2 SSD(Solid State Drive)에 적용하면 지금보다 읽기·쓰기 속도를 두 배로 높일 수 있다.

삼성전자는 Toggle DDR 2.0이 시장 표준으로 자리 잡을 수 있도록 JEDEC(세계반도체표준협의기구) 표준 등록을 추진하고 있다고 설명했다.

삼성전자는 지난해 이전 기술인 Toggle DDR 1.0 방식의 30나노급 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시 양산에 돌입했다.

Toggle DDR 2.0 방식의 차세대 고속 낸드플래시는 오는 2011년부터 본격적으로 양산한다는 계획이다.

삼성전자는 향후 양산하는 20나노급 이하 낸드플래시 전 제품에 이 기술을 적용할 예정이다.

전동수 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 "지난해 11월 30나노급 고속 낸드플래시를 양산하는 등 고성능 낸드플래시 시장을 주도해왔다"라며 "앞으로 고속 낸드플래시의 수요가 급증할 것으로 보이는 만큼 시장을 이끌기 위해 노력할 것"이라고 말했다.

▶ 관련기사 ◀
☞삼성에버랜드,年1000억 매출 황산코발트 공장 착공
☞코스피 약보합 출발..뉴욕발 조정에 눈치보기
☞삼성-GE, 스마트그리드 협력 검토