하이닉스는 TSV(관통전극) 기술을 활용해 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 8단 적층하는데 성공했다고 9일 밝혔다. 단일 패키지에서 16Gb를 구현한 것은 이번이 처음이다.
TSV는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩간의 전기적 신호를 전달하는 기술이다. 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있어 차세대 패키지라는 평가를 받고 있다.
현재 사용하는 와이어 본딩 기술로는 16Gb D램을 개발하기 어렵다. 패키지 크기가 증가하고 전기적 특성이 떨어지기 때문이다.
이 제품을 모듈로 제작하면 최대 64GB(기가바이트) 용량을 구현할 수 있어, 서버와 워크스테이션 등 대용량 메모리에 적합하다고 하이닉스는 설명했다.
TSV 기술을 활용하면 동작속도와 소비전력도 개선된다. 하이닉스는 TSV 기술 적용으로 동작속도는 50%가량 높이고 소비전력을 40% 줄였다고 강조했다.
|
홍성주 하이닉스 연구소장 전무는 "TSV는 앞으로 2~3년 내에 메모리 산업의 핵심기술이 될 것"이라며 "새로운 메모리 반도체 시대에 사업 기반을 구축했다"고 말했다.
하이닉스는 64GB 모듈 양산을 준비하는 동시에, 기존 모바일 D램에 비해 8배 빠른 WIDE I/O(데이터 입출력 핀수를 512개 늘린 D램) TSV 개발도 추진한다는 방침이다.
▶ 관련기사 ◀
☞하이닉스, 낸드플래시 경쟁력 `입증`
☞[특징주]하이닉스, 뉴욕발 한파에 `급락`
☞증권사 추천 제외 종목(8일)
