작년 D램 10개 중 6개는 한국産…"지배력 가속화"

[이데일리 조태현 기자] 지난해 삼성전자(005930)와 하이닉스 등 국내 D램 제조사의 글로벌 점유율이 60%에 육박하며 연간 사상 최대치를 갈아치웠다.

반면 대만과 일본 등의 D램 제조사 점유율은 지난 2009년에 비해 하락했다.

9일 시장조사업체 아이서플라이에 따르면 삼성전자의 지난해 D램 매출액은 148억6600만달러(한화 약 16조3500억원)로 전년 76억2300만달러에 비해 두 배 가까이 증가했다.

전체 연간 D램 매출액은 394억8100만달러(약 43조4300억원). 이를 고려하면 삼성전자의 지난해 D램 시장 점유율은 37.6%로 추산된다.

글로벌 2위 업체인 하이닉스반도체(000660)의 지난해 매출액은 85억(약 9조3500억원)달러로 집계됐다. 점유율은 21.5%로 전년대비 0.1%포인트 소폭 하락했다.

하이닉스의 점유율은 소폭 하락했지만 삼성전자의 점유율은 상승했다. 삼성전자의 점유율 37.6%는 전년 대비 4%포인트 증가한 수준이다. 사상 최대 점유율을 기록한 것이다.

▲주요 D램 제조사 분기별 점유율 추이(출처: 아이서플라이)

이에 따라 국내 D램 업체의 점유율 합계는 전년 대비 3.9%포인트 증가한 59.1%로 집계됐다. 이 역시 사상 최대이며 60%에 근접한 수준으로, D램 시장에서 국내 업체의 지배력이 강화됐다는 뜻으로 풀이된다.

반면 3위 업체인 일본 엘피다의 지난해 점유율은 16.2%로 전년 대비 1.2%포인트 하락했으며, 미국 마이크론(12.7%), 대만 난야(4.3%)의 점유율은 각각 0.7%포인트, 0.9%포인트 떨어졌다.

국내 업체의 점유율이 높아진 것은 지난해 하반기 D램 공급과잉 상황에서도 지속적으로 투자를 집행한 영향으로 풀이된다.

아울러 경쟁사보다 빠르게 미세공정 수준을 높인 것도 점유율 확대에 영향을 줬다. 삼성전자와 하이닉스는 현재 40나노급 공정 위주로 D램을 생산하고 있으며, 30나노급 D램 양산도 시작한 상황이다.

반면 일본과 대만 업체는 아직 50나노급과 60나노급 공정으로 D램을 양산하고 있다. 이론적으로 미세공정이 한 단계 업그레이드되면 동일한 웨이퍼에서 생산되는 D램은 60%가량 증가한다.

반도체 업계 관계자는 "투자와 생산 기술의 차이가 국내 업체와 경쟁사의 격차를 벌리고 있다"라며 "대규모 적자 등의 영향으로 올해 경쟁사가 적극적인 투자에 나서기 어려운 상황임을 고려하면 이러한 격차는 올해에도 지속될 것"이라고 설명했다.

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