4일 하이닉스에 따르면 차세대 DDR4 D램은 30나노급 2Gb(기가비트) 제품으로 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적고, 데이터 전송속도는 대폭 향상됐다.
데이터 전송속도는 1.2V 저전압에서 업계 최초로 2400Mbps의 초고속 데이터 전송속도를 구현했다. 기존 DDR3 1333Mbps 제품대비 처리속도가 80% 가량 향상됐다.
2400Mbps의 데이터 전송속도는 64개의 정보 입출구(I/O)를 가진 ECC-SODIMM 제품에서 DVD급 영화 4~5편에 해당되는 19.2기가바이트의 데이터를 1초에 처리할 수 있다.
전력소모는 D램 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용, 1.5V DDR3보다 50% 가량 전력소모가 줄었다.
초소형 서버 등에 사용되는 2GB(기가바이트) ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module)도 개발했다.
하이닉스는 업계 선두수준의 DDR4 제품 개발을 통해 차세대 기술을 확보하고 ECC-SODIMM을 통해 성능을 확인함으로써 향후 DDR4 표준화를 주도한다는 방침이다.
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하이닉스는 2012년 하반기부터 양산해 DDR4 D램 시장을 선도한다는 계획이다.
김지범 하이닉스 마케팅본부장 전무는 "이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경∙저전력∙고성능 특성을 모두 만족시켰다"고 말했다.
김 전무는 "기존 PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라고 덧붙였다.
한편, 시장조사업체인 아이서플라이는 DDR4 D램 비중이 2013년 5% 수준에서 2015년 50%를 넘어 시장의 주력제품이 될 것으로 예상했다.
DDR3 D램 비중은 2012년 71%로 최고치를 기록한 뒤 2013년과 2014년에는 각각 68%, 49%로 점차 비중이 감소할 것으로 전망했다.
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