하이닉스, 세계 최고 성능 모바일 D램 개발

[이데일리 조태현기자] 하이닉스반도체(000660)는 54나노 기술을 적용한 세계 최고 성능의 1기가비트(Gb) 모바일 D램(LPDDR2:Low Power DDR2) 제품을 개발했다고 27일 밝혔다.

이 제품은 평균 1.2V의 저전압으로 동작하며 최대 1.14V까지 구현할 수 있다. 이에따라 평균 1.8V를 사용하는 기존 모바일 D램(DDR)의 50% 수준, PC DDR2 제품의 30% 수준의 전력으로 동작할 수 있다.

아울러 1066Mbps의 고속 데이터 전송 속도를 구현해 1초당 최대 8.52기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. 일반적인 영화 파일 5~6편을 1초에 다운받을 수 있는 수준이다.

또 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 `원 칩 솔루션` 기능도 제공된다. 이에따라 탑재되는 기기의 사양에 적합하게 변경해 사용할 수 있다.

이 제품은 올 3분기부터 양산될 예정이다.

하이닉스는 이번 제품 개발에 이어 내년에는 40나노급 모바일 D램 제품을 개발할 예정이다. 이를통해 내년 모바일 D램 시장점유율을 30% 이상 확대한다는 계획이다.

하이닉스 관계자는 "이번 제품은 공정 기술, 전압, 속도 등의 측면에서 현존하는 제품 중 최고의 성능을 갖춘 모바일 D램"이라고 설명했다.

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