3중셀(3 bit per cell, X3)은 한 셀에 하나의 정보를 담는 SLC(Single Level Cell), 한 셀에 두 개의 정보를 담을 수 있는 기존의 MLC(Multi Level Cell)에 이어 하나의 셀에 세 개의 정보를 담을 수 있는 획기적인 기술이다.
이번에 개발된 3중셀 기반 제품은 기존 MLC 대비 칩 면적을 30% 이상 축소할 수 있어 원가절감이 가능하다.
하이닉스는 이 기술을 기반으로 16기가비트 양산 적용에 한정됐던 48나노 공정기술을 32기가비트 제품까지 확대 적용해 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정이다.
또 하이닉스반도체, 인텔, 소니, 마이크론 등이 주도하고 있는 ONFI(Open NAND Flash Interface)의 규정을 따른 세계 최초의 BA(Block Abstracted) 낸드플래시 제품이기도 하다.
하이닉스가 개발한 이 제품은 MSP(Memory Signal Processing) 기술을 이용해 3중셀 제품의 최대 장애요인인 셀간 간섭현상을 해결했다.
기존 MLC제품과 동일한 수준의 성능과 신뢰도를 확보하면서도 생산원가를 크게 낮춰 시장 경쟁력을 획기적으로 강화했다는 설명이다.
또 MSP 기술은 향후 4중셀(4 bit per cell, X4)등 차세대 제품에도 확장 적용이 가능해 공정 미세화의 한계를 극복하고 비트그로스를 유지할 수 있는 대안이 될 것으로 기대되고 있다.
낸드플래시는 D램과 달리 전원이 끊어져도 정보를 그대로 보존할 수 있고 정보 입출력도 자유로워 디지털TV, 디지털 캠코더, 디지털 카메라, 이동통신단말기, 개인휴대단말기(PDA), MP3 플레이어, 게임기, 내비게이션 등에 사용되고 있다.
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