삼성전자, 세계 최대 `메모리 16라인` 가동

[이데일리 서영지 기자] 삼성전자(005930)가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 경기도 화성 16라인을 가동하고 세계에서 처음으로 20나노급 D램 반도체를 양산한다.

삼성전자는 경기도 나노시티 화성캠퍼스에서 22일 `메모리 16라인 가동식과 20나노 D램·플래시 양산` 행사를 연다고 밝혔다.

이날 행사에는 이건희 삼성 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 삼성전자 사장 등 주요 경영진과 나카가와 유타카 소니 부회장 등 글로벌 IT 업체 관계자 500여명이 참석할 예정이다.

스티브 발머 마이크로소프트 최고경영책임자(CEO), 셰어 왕 HTC 회장, 제프 클라크 델 부회장, 양위엔칭 레노보 CEO, 프랜 오 설리반 IBM 부사장 등은 영상 메시지를 보내 삼성전자를 축하했다고 회사 측은 전했다.

지난해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적(FAB, 반도체 제조공장) 약 6만평 규모의 12층 건물로, 낸드플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다.
 
이 회장은 작년 5월 열린 16라인 기공식 현장을 경영 복귀후 첫 방문지로 삼아 관심을 모으기도 했다.

16라인은 지난 2월 건물을 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고 6월부터 시범 가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖췄다. 이달부터 20나노급 고속 낸드플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며 본격 양산을 시작했다고 삼성전자는 전했다.

삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려나가고, 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산한다는 계획이다.

한편, 삼성전자는 이달부터 세계 최초로 20나노급 2Gb(기가비트) D램 양산을 시작했다고 밝혔다. 20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품.

삼성전자는 올해 말 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GB·8GB·16GB·32GB 등 다양한 제품군을 양산할 계획이다.


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