하이닉스, 차세대 메모리 `P램 개발` 본격화

[이데일리 김상욱기자] 하이닉스반도체(000660)는 1일 차세대 메모리 반도체인 P램 분야의 원천기술을 보유한 미국 오보닉스(Ovonyx)와 라이선스 계약을 체결했다고 밝혔다.

이번 P램 기술 라이선스 계약에 따라 하이닉스와 오보닉스는 P램 기술개발을 비롯해 재료, 공정, 디자인 및 생산 등의 분야에 적극 협력하게 된다.

하이닉스반도체 박성욱 부사장은 "메모리 시장의 새로운 패러다임을 가져올 P램 사업에 본격 진출했다는 데에 의의가 크다"며 "P램의 성공적인 기술 개발 및 양산을 위해 지속적으로 노력하겠다"고 밝혔다.

P램은 상변화 물질에 전류를 가하면 고체와 액체로 변하는 상변화에 따른 저항의 차이를 이용하는 비휘발성 메모리를 말한다. 보통 D램의 기억소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는 반면 P램은 캐패시터 대신 트랜지스터와 레지스터로 구성되어 있어 소자 크기는 물론 생산 비용까지 줄일 수 있다.

D램과 같은 낮은 전압에서 동작이 가능하며, 플래시 메모리보다 10배 이상 빠른 처리 속도로 구현이 가능해 D램과 플래시 메모리의 장점을 갖춘 것이 특징이다.

`퍼펙트(Perfect) 램`이라 불릴 만큼 우수한 성능을 갖춘 P램은 향후 D램과 플래시 메모리를 대체할 수 있는 차세대 메모리의 선두주자로 기대를 모으고 있다.

하이닉스는 지난 7월에 발표한 중장기 마스터 플랜을 통해 2017년까지 매출의 30% 이상을 P램을 포함한 신규제품군으로 채우겠다고 밝힌 바 있다.

하이닉스는 현재 P램과 같은 차세대 메모리 개발에 역량을 집중하고 있으며, 특히 이번 라이선스 계약 체결을 통해 목표에 한 발 더 다가설 것으로 기대하고 있다.

하이닉스는 앞으로도 차세대 메모리 개발을 위한 제휴 및 협력을 지속적으로 확대하여 다양한 제품군을 개발해 나간다는 방침이다.

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