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15일 삼성전자의 글로벌 투자자용 ‘2018년 사업소개서’에 따르면 시스템LSI사업부는 5세대 이동통신(5G) 기반으로 2021년 ‘레벨3(부분 자율주행)’ 자율주행 기술을 상용화할 계획이다. 이어 2025년 ‘레벨4(고도 자율주행)’, 2028년 ‘레벨 5(완전 자율주행)’ 기술을 차례로 선보인다는 로드맵을 제시했다.
앞서 삼성전자는 올 1월 미국 라스베이거스에서 열린 ‘CES 2018’에서 하만(HARMAN)과 협력해 만든 첨단운전자지원체계(ADAS) 등을 적용한 자율주행차 솔루션인 ‘드라이브라인(DRVLINE)’ 플랫폼을 공개한 바 있다. 이 플랫폼은 자율주행 레벨 3~5를 수행할 수 있어, 앞으로 시스템LSI사업부의 자율주행 기술 로드맵 구현에 활용될 것으로 예상된다.
보스턴컨설팅그룹(BCG)에 따르면 글로벌 자율주행차 시장 규모는 2022년 39만 대, 2025년 214만대, 2030년 1681만대 등으로 급성장할 전망이다.
삼성전자는 2021년 이후 10년 간 ‘미래 먹거리’가 될 자율주행차 시장을 선점하기 위해 시스템 반도체 경쟁력을 토대로 관련 제품화를 추진한다는 계획이다. 이를 위해 엑시노스(Exynos) 프로세서를 신경망처리장치(NPU)로 발전시킨 자동차용 AP ‘엑시노스 오토’로 ADAS를 구현하고, 인포테인먼트(Infortainment)와 텔레매틱스(Telematics) 시스템 등에도 접목할 계획이다. 또 자체 이미지센서(빛을 전기 신호로 바꾸는 반도체) 브랜드인 ‘아이소셀(ISOCELL)’은 자동차의 눈에 해당하는 전·후방 및 서라운드 카메라 등에 적용할 예정이다. 여기에 DDI(디스플레이 구동칩)와 지문인식 센서 등은 전자 키·미러 등에 활용될 것으로 예측된다.
삼성전자는 자율주행차가 5G 시대 도래와 함께 ‘데이터의 홍수’를 이룰 새로운 수요처로 예상하고 관련 메모리 제품 개발에도 적극 나설 방침이다. 이를 위해 자율주행으로 생성되는 데이터를 효율적으로 저장·관리할 수 있도록 D램 및 낸드플래시를 활용한 통합 메모리 솔루션을 제공할 계획이다. D램의 경우 지난달 말 -40℃에서 125℃까지 견딜 수 있는 자동차용 ‘10나노급 16Gb LPDDR4X D램’을 선보였고, 앞서 2월엔 낸드플래시 기반으로 105℃ 온도 알람 기능을 적용한 ‘256GB eUFS’도 양산했다.
업계 한 관계자는 “4차 산업 혁명의 핵심인 인공지능이나 5G 등이 모두 수렴되는 최종 기술이 자율주행차”라며 “반도체 분야에선 자율주행 시장을 선점하는 업체가 새로운 시장 지배자로 등극할 것”이라고 말했다.
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