류형근 연구원은 “인공지능(AI)은 서버를 넘어 디바이스 단으로 확대되고 있고, AI 디바이스 내 언어모델을 구동하기 위해선 속도가 빠른 DRAM이 필요하다”며 “통상적으로 7500Mbps 이상의 스펙을 요구하며, 해당 속도를 구현하기 위해선 High-K Metal Gate가 접목돼야 한다”고 했다.
류 연구원은 “ DRAM 3사의 경우, DRAM 1c부터 High-K Metal Gate 기술 적용 영역을 확대 (모바일 중심에서 모든 애플리케이션으로 확대)할 것으로 예상되며, 전공정 끝단에 접목되는 장비인 만큼 Pilot Line 세팅 이후에도 수율 개선 목적으로 추가 침투가 가능할 것”이라고 진단했다.
그는 “중국 반도체향 침투 기회도 열려 있다. 중국 반도체의 경우, 현재 최대 6400Mbps의 속도를 구현할 수 있는 것으로 추정된다”며 “추가적인 속도 향상을 위해선 High-K Metal Gate 기술이 필요하며, 관련 장비에 대한 구매를 2025년부터 시행할 수 있다”고 판단했다.
류 연구원은 “다가올 4분기에는 로직·파운드리향 수요 회복에 힘입어 분기 최고 실적을 기록할 것으로 예상된다”며 “전체적인 반도체 자본적지출(Capex) 환경이 좋은 것은 아니지만, HPSP의 경우 2025년 차별화된 성장을 이룩할 수 있을 것”이라고 내다봤다.