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삼성전자는 3분기 실적 발표에서 매출액은 76조7800억 원, 영업익은 10조 8500억 원을 기록했다고 밝혔다. 각 부문별 영업이익은 반도체가 5조1200억 원, DP 1조9800억 원, IM 3조2400억 원, CE 2500억 원, 하만 3100억 원 등이다. 메모리 고객사의 강도 높은 재고 조정으로 인해 출하량은 가이던스 및 전망치를 하회했다.
3분기 비트 그로스(Bit Growth)는 DRAM이 전분기 대비 -17%, NAND가 -9%를 기록했다. ASP는 DRAM이 -20%, NAND -21%로 각각 하락했다. 파운드리는 선단 공정 수율 개선 및 성숙 노드 실적 기여 확대로 분기 최대 실적 기록했다. DP는 북미 고객사 성수기 효과와 더불어 경쟁사 OLED 패널 공급 차질에 따른 반사 수혜로 최대 실적을 기록했다. IM은 폴더블 및 갤럭시 S22 판매 호조로 전분기 대비 출하량 및 ASP 개선됐다.
이번 컨퍼런스 콜에서 시장이 가장 기대한 점은 마이크론과 SK하이닉스에 이어 삼성전자의 감산 의지 표명이었다. 하지만 삼성전자는 인위적인 웨이퍼 인풋 조절은 없을 것으로 시사했다. 이는 DRAM과 NAND 모두 업계 선두 업체로서 원가 경쟁력이 경쟁사 대비 앞서 있는데다 과거 대비 공정 난이도 증가, DDR5에 따른 다이페널티(칩사이즈 증가) 등으로 공급 증가율이 제한되기 때문으로 보인다.
박 연구원은 “특히 NAND는 이번 다운 사이클을 통해 점유율 확대 의지가 있다고 판단된다”며 “CAPEX 측면에서는 당사 예상대로 큰 폭의 하락을 기대하기 어려울 것으로 보이며 이는 P4 및 Taylor Fab 인프라 투자, EUV 적용 확대 등 단위당 CAPEX의 증가에 기인한다”고 말했다.
이어 “CAPEX 금액 자체를 공급 증가로 바라보기엔 무리가 있으며 12월 P3 DRAM 20K/월을 제외한 신규 CAPA 투자는 없을 것으로 전망된다”고 했다.