[IT 초격차기술]한달에 1조원…삼성 반도체 '투자의 힘'

[이데일리 성문재 기자] 세계 메모리반도체 1,2위 업체인 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 악화된 시황을 극복하기 위해 고부가가치 제품의 비중을 높이는 한편 대규모 투자를 통한 미세공정화와 혁신 제품 생산에 박차를 가하고 있다.

9일 글로벌 시장분석업체 D램익스체인지에 따르면 8월말 PC용 D램 가격(DDR3 4기가바이트 기준)은 2.06달러로 한달전보다 8% 넘게 하락했다. 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기에 주로 사용되는 낸드플래시 메모리(64기가바이트 기준) 가격 역시 최근 한달새 6% 이상 하락해 8월말 2.33달러를 기록했다.

두 제품 가격 모두 1년전과 비교하면 각각 46.4%, 45% 떨어져 거의 반토막 수준이다. 최근 몇년 사이 PC 수요가 감소세를 보이고 있는 가운데 스마트폰 시장까지 정체기에 직면한 때문으로 풀이된다. 세계 최대인 중국 스마트폰 시장은 올해 1분기 마이너스(-) 성장했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 이같은 시황 악화에 맞서 과감한 투자를 바탕으로 전체 공정의 부가가치를 개선하고 있다.

삼성전자는 최근 5년간 66조5300억원을 반도체 사업 시설투자에 쏟아부었다. 연간 13조원, 한달에 1조원 이상을 반도체 시설에 투자한 셈이다. 이는 별도 파악이 어려운 연구개발(R&D) 투자 규모를 제외한 수치다.

삼성전자는 현재 세계 메모리반도체 시장에서 압도적인 점유율로 1위를 달리고 있다. 지난 2분기말 기준 D램 반도체 시장점유율은 45.1%다. 지난해 3분기에 40%를 첫 돌파한 이후 최고 기록을 잇따라 갈아치웠다. 낸드플래시 시장에서도 점유율 35.3%로 부동의 1위다.

비메모리 분야까지 포함한 전체 반도체 시장에서는 미국 인텔이 아직 세계 1위를 지키고 있지만 2위 삼성전자가 인텔과의 점유율 격차를 역대 최저 수준인 1.6%포인트까지 좁혔다.

삼성전자는 D램의 주요 품목인 PC용, 모바일용, 서버용, 그래픽용 D램을 모두 지난해부터 세계에서 유일하게 20나노 공정으로 양산하고 있다.

V낸드의 경우 2013년 8월 1세대, 2014년 8월 2세대를 거쳐 올해 3세대 V낸드 양산에 세계 최초로 성공했다.

비메모리 분야에서는 14나노 공정의 모바일 어플리케이션프로세서(AP)를 유일하게 만들어내고 있다. AP는 스마트폰의 연산을 담당하는 두뇌에 해당하는 부품이다.

삼성전자는 지난 5월 평택에 세계 최대 규모의 반도체 생산라인을 건설하겠다는 계획을 발표했다. 15조6000억원을 투자해 짓는 1단계 반도체 생산라인은 2017년 상반기 가동을 목표로 하고 있다.

SK하이닉스는 투자를 통한 기술력 강화와 설비 확대에 나서고 있다. 지난 2003년부터 지난해까지 12년간 시설투자로 37조1800억원을 집행했다. 연평균 3조원 이상을 투입한 셈이다.

SK하이닉스는 지난해 4월 20나노급 8Gb(기가비트) DDR4를 기반으로 세계 최대 용량인 128GB(기가바이트) DDR4 모듈을 최초로 개발했다. 지난해 10월에는 20나노급 4Gb DDR4 기반으로 서버용 비휘발성 메모리 모듈인 NVDIMM 기준 최대 용량인 16GB 제품을 최초로 선보였다.

최태원 SK하이닉스 회장은 지난 8월 25일 이천 M14 공장 준공식에서 향후 10년간 총 46조원을 투자해 M14 외에 이천과 청주에 반도체 공장을 각각 1개씩 더 구축하겠다는 미래비전을 밝혔다.

최 회장은 “M14 준공은 SK그룹 역사의 한 획을 긋는 것은 물론 대한민국의 반도체 신화를 다시 써내려가는 전기가 될 것”이라며 ”지속적인 혁신과 사람에 대한 투자로 중장기 경쟁력을 강화해 국가 대표 기업으로서 국민의 기대와 성원에 보답할 수 있도록 최선을 다하겠다”고 강조했다.

SK하이닉스는 지난 8월 25일 경기도 이천 본사에서 M14 공장 준공식을 개최했다. 이 공장은 올해 말 월 3000장의 웨이퍼 생산능력을 갖춘 후 점진적으로 생산량을 확대해 나갈 계획이다. SK하이닉스 제공.

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