[이데일리 김상욱기자] 하이닉스반도체(000660)가 연구개발(R&D) 역량 강화를 통해 D램 원가절감, 개발기간 단축에 나선다. 이를 통해 수익성 1위를 탈환하겠다는 전략이다.
또 매출액대비 연구개발투자를 지난해 6%에서 올해 8%, 내년에는 10%까지 확대한다. 중장기적인 기술개발 역량을 강화하겠다는 계획이다.
하이닉스반도체는 10일 올해 수익성 1위를 탈환하기 위해 R&D 역량을 더욱 강화, 최고 수준의 경쟁력 있는 기술개발에 집중하겠다고 밝혔다.
경쟁우위 기술개발과 지속성장을 위한 미래기술을 확보하는 한편 고효율, 저비용 구현을 위한 업무혁신과 창조적 연구역량을 강화한다는 설명이다.
특히 기술경쟁력에서 우위를 확보하기 위해 D램의 경우 신규기술이 전개될 때마다 웨이퍼 1장에서 생산 가능한 칩수(Net Die)를 45% 이상 증가시킬 계획이다. 공정기술 개발기간도 1분기 이상 단축시킨다는 방침이다.
이와함께 신제품의 공정증가율을 최소화하고, 54나노 1Gb DDR2 제품을 이르면 2분기에 개발하여 3분기부터 양산한다. 44나노 1Gb DDR3 제품도 올해 개발에 착수해 내년 상반기에 완료할 계획이다.
낸드플래시의 경우 48나노에서 20나노까지의 기술 개발을 연속선상에서 동시에 진행해 연구개발의 효율성을 증대하고 적기에 제품을 개발할 계획이다.
이에 따라 업계 최초로 40나노급 공정인 48나노 제품을 1분기에 개발해 2분기부터 양산체제에 들어가며, 41나노 제품도 연말에 개발하여 업계 선도회사로 도약한다는 목표다.
차세대 저장장치로 부각되고 있는 SSD(Solid State Disk)도 하반기부터 128GB 제품 등을 본격 출시함으로써 고객의 요구에 적극 대응할 예정이다.
그밖에 DDR3 서버 시장 선점, 그래픽스 D램 제품의 주요 고객 인증 획득, 모바일 D램의 고객 확대 등 고부가가치 제품의 비중도 50% 이상으로 확대하여 수익성을 더욱 제고할 계획이다.
하이닉스는 2010년부터 차세대 반도체인 P램, STT램, Re램 등을 적극 개발해 지속성장을 위한 미래기술도 확보한다는 로드맵을 가지고 있다. 로드맵을 통해 차세대 메모리분야에서도 업계를 선도할 수 있는 기반을 마련한다는 목표다.
또 제품개발 기획단계부터 제조까지 모든 업무 프로세스를 통합 관리할 수 있는 혁신시스템을 도입해 제품 개발시기를 단축하는 한편, 낭비요소를 제거할 수 있는 COPQ(Cost of Poor Quality) 체계를 구축하고 연 30% 이상의 기회비용을 절감할 계획이다.
하이닉스는 "중장기발전을 위해 연구개발 투자를 지난해 매출액 대비 6% 에서 올해 약 8% 수준, 내년에는 10%까지 확대할 것"이라며 "경쟁우위의 기술개발 및 미래기술 확보에 R&D 역량을 집중할 예정"이라고 설명했다.
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