하이닉스, 업계최초 메가급Fe램 상용화 기술개발

[edaily 김수헌기자]하이닉스(00660)반도체가 차세대 이동통신 및 SoC(System on Chip)용 메모리에 적합한 고집적 강유전체 메모리(Fe램)의 상용화 기술 개발에 성공했다고 9일 밝혔다. 이번 개발제품은 0.25미크론의 미세 가공기술을 적용한 4메가 및 8메가 샘플이다. 하이닉스는 3.0볼트 동작전압에서 70나노초(1나노초=10억분의 1초)의 고속으로 쓰기와 읽기가 가능하며, 천억번 이상의 반복쓰기가 가능하다고 설명했다. 새로운 회로기술과 새로운 강유전체인 비스무스 란타늄 티타네이트(BLT)를 채용하여 칩 크기를 축소시키고 소자의 신뢰성도 대폭 향상시킨 것도 특징이라고 하이닉스는 밝혔다. 하이닉스는 64메가급 Fe램까지 별도의 추가 기술개발 없이 활용할 수 있는 표준화된 기술로 개발됐으며, 단일 소자로서 뿐 아니라 임베디드 메모리(Embedded Memory)로서 SoC에 응용이 가능해 향후 SoC 분야에서도 유리한 위치에 오를 수 있게 됐다고 하이닉스는 강조했다. 하이닉스는 이 제품을 오는 10일 미국 콜로라도 스프링스에서 개최되는 제15회 ISIF (International Symposium on Integrated Ferroelectrics) 학회에서 공식 공개할 예정이다. 하이닉스 관계자는 "현재 Fe램 기술과 관련해 업계 최다인 150여건의 미국 특허가 등록 및 출원중"이라면서 "특히 1.0V 이하의 저전압에서도 동작할 수 있는 회로기술에 대한 원천특허를 최근 확보함으로써 차세대 이동통신용 메모리 기술개발에서 경쟁사들보다 한발 앞서게 됐다"고 말했다. 하이닉스반도체는 향후 이번에 개발된 기술을 바탕으로 64메가급 Fe램 개발 및 안정적인 양산체제를 구축하여 본격적인 시장선점에 나설 계획이다. Fe램은 D램과 같은 집적도와 S램과 같은 고속동작이 가능하고, 플래시메모리처럼 전원이 차단돼도 기록된 정보를 유지할 수 있는 비휘발성을 가지는 통합 메모리다. 현재 널리 사용되고 있는 D램, S램, 플래시 메모리를 대체할 차세대 메모리로 주목받고 있으며, 휴대폰, PDA, 스마트 폰, 스마트 카드 등 휴대용 단말기들의 급속한 보급과 더불어 그 활용도가 빠른 속도로 확산될 것으로 예상된다.