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그래핀은 탄소로 이뤄진 단일 원자층 물질로 전자이동도는 물론 기계적 강도와 신축성 등이 뛰어나 차세대 전자소자로 주목받는다.
작은 그래핀을 합성해 큰 면적으로 키우는 기존의 다결정 합성법은 그래핀의 전도도나 기계적 강도를 저해하고 균일성에도 문제가 있는 등 실용화에 한계를 보여왔다. 연구팀은 이에 단결정의 반도체 물질인 실리콘 웨이퍼 표면에 입힌 게르마늄을 이용한 합성방식의 적용을 시도했다.
원자들이 한쪽 방향으로 정렬된 게르마늄의 구조를 이용하면 그 위에 성장시키는 그래핀 씨앗들도 일정한 방향으로 연결돼 넓은 면적의 단결정 그래핀을 합성할 수 있다. 이렇게 합성된 단결정 그래핀은 같은 조건에서 만들어진 다결정 그래핀에 비해 전도도 등 전기적 특성이 월등히 높게 나타났다.
또한 게르마늄은 그래핀과 너무 강하게 결합하지 않기 때문에 실리콘 웨이퍼로부터 분리가 쉽다는 점도 장점이다. 그래핀을 분리한 게르마늄 웨이퍼를 다시 그래핀 합성에 사용할 수 있어 친환경적이고 경제적이기 때문이다.
황 전무는 “단결정 그래핀 합성법은 그래핀의 전자소자 응용을 앞당길 수 있는 중요한 기술이 될 것”이라며 “앞으로 후속연구를 통해 단결정 그래핀의 크기를 더욱 크게 하여 상용화할 것”이라고 말했다.
이번 연구결과는 미래부와 한국연구재단의 지원을 받아 지난 2006년부터 나노분야 중심으로 시작된 삼성전자-성균관대간의 공동협력 프로그램의 하나이다.
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